Điểm benchmark Galaxy S25 Ultra bị rò rỉ với hiệu năng cực khủng

Bui Kieu My

Bùi Kiều My
Gần đây, chúng ta đều đã biết đến thông tin Samsung sẽ sử dụng vi xử lý Snapdragon 8 Elite mới trên Samsung Galaxy S25 Ultra. Cùng với đó, con chip Exynos 2500 sẽ được trang bị trên Samsung Galaxy S25 và Samsung Galaxy S25 Plus ở các thị trường khác ngoài, Trung Quốc, Hoa Kỳ và Canada.
Tuy nhiên, việc Samsung sản xuất chip Exynos 2500 trên tiến trình 3 nm thế hệ cũ có thể dẫn đến việc hãng sẽ không trang bị vi xử lý này trên Galaxy S25 và S25 Plus. Thay vào đó, chúng ta có thể mong đợi Samsung sẽ trang bị vi xử lý Snapdragon 8 Elite trên dòng sản phẩm chủ lực của năm 2025, cùng với các nhân CPU sẽ dược ép xung trở nên mạnh mẽ hơn.

Trước đó, dòng chip Snapdragon 8 Gen 2 và Snapdragon 8 Gen 3 với các biến thể "For Galaxy" đều được ép xung CPU và rất có thể chip Snapdragon 8 Elite vẫn sẽ được ép xung CPU tương tự như hai thế hệ trước. Điều này có thể đã xảy ra khi bài benchmark Galaxy S25 Ultra trên Geekbench 6 đã lộ diện cho thấy xung nhịp trên con chip này có tốc độ cao hơn.

Galaxy S25 Ultra sẽ được trang bị vi xử lý Snapdragon 8 Elite ép xung

Galaxy S25 Ultra sẽ được trang bị vi xử lý Snapdragon 8 Elite ép xung (Ảnh minh họa: Qualcomm)
Dựa trên bài benchmark, chúng ta có thể biết được thông số kỹ thuật của bộ vi xử lý dành cho Galaxy AP này sẽ có 2 nhân CPU chính chạy ở tốc độ xung nhịp 4.47 Ghz và 6 nhân hiệu năng chạy ở tốc độ xung nhịp 3.53 Ghz. Biến thể "For Galaxy" này có nhiều điểm khác biệt so với vi xử lý Snapdragon 8 Elite tiêu chuẩn có nhân CPU chính chạy ở tốc độ xung nhịp 4.32 Ghz.

Điểm đáng bất ngờ chính là điểm Geekbench trên Galaxy S25 Ultra đều đạt được lần lượt là 9.793 điểm trong bài kiểm tra hiệu suất đa nhân và 3.049 điểm trong bài kiểm tra hiệu suất đơn nhân. Trong khi đó, một thiết bị tham chiếu khác sử dụng chung vi xử lý này có điểm kiểm tra hiệu suất đa nhân và đơn nhân cao hơn rõ rệt.

Bài đánh giá hiệu năng Galaxy S25 Ultra trên Geekbench 6

Bài đánh giá hiệu năng Galaxy S25 Ultra trên Geekbench 6 (Ảnh: TECHINFOSOCIALS)
Được biết, thiết bị tham chiếu này có dung lượng RAM LPDDR5X lên đến 24 GB và đánh bại các mẫu chip chạy trên nền tảng Android khác với số điểm cao hơn 47% trên Geekbench 6. Mặc dù điểm Geekbench dành cho Galaxy S25 Ultra không ấn tượng như chúng ta mong đợi, nhưng với sức mạnh này cho thấy Galaxy S25 Ultra sẽ không là một thiết bị có hiệu năng kém.

Giờ đây, chúng ta cần phải chờ đợi thêm vài tuần nữa để có thể được diện kiến chính thức dòng Galaxy S25 mới. Trước đó, có nguồn tin cho rằng Galaxy S25 Series sẽ được ra mắt vào ngày 22/1 tới.
 
Bên trên