toringuyen0509
Well-known member
Cuộc đua chip nhớ NAND Flash trên 300 lớp có khả năng sẽ khép lại với chiến thắng đầu tiên thuộc về Samsung thay vì SK hynix. Báo cáo mới nhất (và độc quyền) của Seoul Economic Daily nói rằng Samsung sẽ đi vào sản xuất chip nhớ V-NAND (3D NAND) trong năm 2024, tức sớm hơn kế hoạch của SK hynix đâu đó 1 năm. Ở thời điểm hiện tại, chip nhớ NAND xếp chồng của Samsung đạt mức 236 lớp, nhiều hơn 4 lớp so với Micron nhưng ít hơn 2 lớp so với SK hynix.
Cũng theo Seoul Economic Daily, Samsung sẽ dùng cách xếp chồng 2 lần NAND Flash thay vì 3 lần như SK hynix, đồng nghĩa với việc mỗi lần xếp chồng là Samsung sử dụng các NAND có trên 150 lớp. Nếu thành công, Samsung sẽ dẫn trước, nhưng điều đó cũng có nghĩa là hãng phải vượt qua các giới hạn, đặc biệt là tỉ lệ đạt chuẩn trong sản xuất (yield rate). Ngày xưa khi xếp chồng chip nhớ, người ta phải “đi dây điện”, còn hiện tại thì ứng dụng TSV (Through Silicon Via), dễ dàng tăng cường mật độ xếp chồng hơn. Tuy nhiên vẫn phải chờ thực tế các fab của Samsung sản xuất thử nghiệm mới biết được rõ ràng.
Công nghệ 3D NAND của SK hynix đã tới thế hệ 8, có hơn 300 lớp
SK hynix tiết lộ 1 số thông tin về công nghệ chip nhớ 3D NAND flash thế hệ 8 với hơn 300 lớp. Tiến bộ này cho phép cải thiện hiệu năng của thiết bị lưu trữ và giảm chi phí trên mỗi TB khi nó được ứng dụng vào thực tế, đâu đó giữa 2024 và 2025.
tinhte.vn
Hồi tháng 3 vừa qua, SK hynix tiết lộ vài thông tin về chip nhớ 3D NAND thế hệ 8 với hơn 300 lớp, dự kiến ứng dụng thực tế khoảng giữa 2024 - 2025. Còn lộ trình của Samsung thì sẽ có sản phẩm chip nhớ 3D NAND trên 1000 lớp vào năm 2030.